新闻中心
综合新闻
学术活动
科研动态
研究生新闻
通知公告
学术报告
公示
  您现在的位置:首页 > 新闻中心 > 科研动态
从单原子层锗烯到双原子层锗烯的质变——武汉物数所与合作者在类石墨烯的研究上取得重大进展
2017-02-27 | 编辑: | 【  】【打印】【关闭

  单层石墨烯以其高速的电子传导性能引起极大关注,其物理学特征是具有狄拉克锥能带结构。但石墨烯的带隙并未打开,因此石墨烯并不宜直接做为半导体材料使用。因此制备具有狄拉克锥并打开带隙的类石墨烯成为当今物理与新材料领域的前沿课题。作为类石墨烯的锗烯可能具有打开带隙的狄拉克锥,因而成为二维石墨烯材料的研究热点之一。

  近日,武汉物数所曹更玉研究组与中国科学院物理研究所高鸿钧研究组合作,基于金属铂(白金)上首次得到单层锗烯(Advanced Materials,2014)的研究基础,再接再厉,在极为廉价的铜表面上得到了具有狄拉克锥并打开带隙的双层锗烯。由于单层锗烯与金属表面存在较强的相互作用,因此并未发现其存在带隙与狄拉克锥。该项最新研究表明,在双层锗烯中由于两层锗原子的相互作用,使得双层锗烯不仅存在带隙,而且具有狄拉克锥能带结构。该研究为类石墨烯功能化器件的制备与实用化提供了新途径。该工作发表在最近出版的《先进材料》(Advanced Materials)杂志上。

  本文第一作者是武汉物数所秦志辉副研究员。该研究得到科技部“国家重大科学研究计划”、“国家重点研发计划”、国家自然科学基金以及中国科学院武汉物理与数学研究所“一三五计划”的资助与支持。

  附:论文链接








 
  相关新闻
中国科学院武汉物理与数学研究所
地址:武汉市武昌小洪山西30号 电话: 027-87199543 邮政编码:430071
ICP备案号 鄂ICP备20009030号-2
鄂公网安备 42010602002512号